トランジスターは、電気信号および電力の増幅あるいはスイッチングに使用される半導体デバイスで現代におけるエレクトロニクスの基本的な構成要素の1つとなっております。
これは半導体材料により構成されており、通常は電子回路に接続するための少なくとも3つの端子を備えております。
トランジスタの1対の端子に印加される電圧または電流は、別の1対の端子を流れる電流を制御致します。
制御された（出力）電力を制御された（入力）電力よりも大きくできるため、トランジスタは信号を増幅することができます。
一部のトランジスタは個別にパッケージ化されておりますが、さらに多くのトランジスタが集積回路に組み込まれております。

オーストリア＝ハンガリーの物理学者ジュリアス・エドガー・リリエンフェルトは、1926年に電界効果トランジスタの概念を提案致しましたが、当時は実際に動作するデバイスを構築することはできませんでした。
最初に作られた実用的なデバイスは、1947年にアメリカの物理学者ジョン バーディーンとウォルター ブラッテンがベル研究所のウィリアム ショックレーのもとで研究中に発明した点接触トランジスタでした。
3人はその功績によって1956年のノーベル物理学賞を分かち合いました。
最も広く使用されているタイプのトランジスタは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）で、1959年にベル研究所のモハメド・アタラとダウォン・カーンによって発明されました。
トランジスタはエレクトロニクス分野に革命をもたらし、とりわけ、より小型な、より安価なラジオ、電卓、コンピューター等への道を開きました。

ほとんどのトランジスターは極めて純粋なシリコンで作られており、一部はゲルマニウムで作られておりますが、他の特定の半導体材料が使用されることもあります。
トランジスターは、電界効果トランジスターでは1種類の電荷キャリアのみを有する場合があり、バイポーラ接合トランジスターデバイスでは2種類の電荷キャリアを有する場合があります。
真空管と比較して、トランジスターは一般に小型であり、動作に必要な電力も小さくなります。
特定の真空管は、非常に高い動作周波数、または高い動作電圧においてトランジスターよりも優れております。
多くの種類のトランジスターは、複数のメーカーによって標準化された仕様に従って製造されております。