絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、主に電子スイッチとして使用される3端子パワー半導体デバイスであり、研究開発によって高効率と高速スイッチングを兼ね備えるようになりました。

これは、金属酸化膜半導体（MOS）ゲート構造によって制御される4つの交互層（P-N-P-N）にて構成されております。